%，即将进入调试阶段。

    以高精度仪器来说，调试占据的技术水平，并不比凑够一整套硬件来的容易，而且还要配合软件部分。

    翟达为老师介绍了这台设备状况，尤其逆向的思路与国内外技术区别。

    “CVD是碳化硅半导体重要的一环，在诸多工序中，这部分的自主化可以节省20%以上的成本，不过排第一的成本项还是‘衬底’，占据成本的40%，我的最终希望是将碳化硅半导体的成本压缩到现在的10-15%。”

    这也意味着海外的相关产业会被毁灭性打击。

    有时候工业上所谓的“卷”，媒体是真用错词了，还真不是普通人理解的“压榨员工”能做到的，尤其是高端制造业，技术革新和自主化才是重点。

    “大概是尚未有足够的市场动力，全球这条路上跑着的企业，都有点得过且过的意思，毕竟比起技术进步，技术封锁更容易，还一样能挣钱，就比如TEL的原型机感觉学校被坑惨了。”

    实际上若时间线往后拉十几年，回到翟达熟悉的那个碳化硅广泛应用时代，日本在碳化硅领域，已经丢掉了目前领先的位置。

    就和他们许多其他产业一样。

    地方小只能依赖外国市场和外国资源，奈何两大市场都不好混。

    阿中是有世仇，日本自己也拧巴的很。

    阿美更暴力，纯纯当血包吸了。

    钱老对于这些倒是没什么评价，反而沉吟片刻后道：“如果按照‘单片反应腔’的规格，是否效率有些太低了？”

    翟达一愣：“呃如果扩大腔体，比如双托盘同时沉积，那么腔体体积更大，气体系统的湍流问题会更复杂，影响均匀性。”

    虽然零帧起手就是技术问题，他回答的很快。

    老师却摇摇头道：“湍流虽然难以预测，但可以干预，单纯因为湍流问题放弃效率提升，不如想想如何解决最终目标。”

    “比如在扩大腔体的同步，降低长径比，可以有效减少涡流区域，同时在气体入口安装蜂窝结构导流板，即可进一步破碎大涡流。”

    翟达眼睛一亮。

    “另外透过现象看本质，湍流对你来说的影响在于均匀性，那如果有其他措施补偿，也未尝不能忍受，我想到两个，一个是用红外列阵的方式加热，可以提升温度均匀性，继而补偿沉积均匀性，另一个是气阀高频开关，亦可避免连续气流造成的涡旋，碳化硅功率器件应该很容易做到。”

    老师可是力学大师，尤其对气体力学和热力学，都是开山鼻祖的级别。

    老人家没有顺着翟达的思路思考，而是直接提